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Patent of low noise MOSFET for ADC from Sony [Pantent]

ソニーから、イメージセンサ埋め込み ADC 用低ノイズ MOSFET の構造に関する特許が申請されています。

【発明の名称】MOS型電界効果トランジスタ半導体集積回路、固体撮像素子、及び、電子機器
【公開番号】特開2017-69231(P2017-69231A)
【公開日】平成29年4月6日(2017.4.6)
JPA_429069231_000019.gif
【図17】AD変換器の出力ノイズデータの累積頻度のプロットグラフ

劇的な低ノイズ化ではありませんが、PD の低ノイズ化と掛け算で効きますので、ソニー製イメージセンサの低ノイズ化(高感度化)は止まらないようです。

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